Detalhes do produto
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Atributo | Valor |
Fabricante: | ON Semicondutor |
Categoria de Produto: | Transistores Bipolares - BJT |
RoHS: | Detalhes |
Estilo de montagem: | SMD/SMT |
Pacote / Estojo: | SOT-23-3 |
Polaridade do transistor: | PNP |
Configuração: | Solteiro |
Coletor- Emissor Tensão VCEO Max: | - 60 V |
Coletor - Tensão Base VCBO: | - 60 V |
Tensão base do emissor VEBO: | 5 V |
Tensão de Saturação do Coletor-Emissor: | - 1,6 V |
Corrente Máxima do Coletor CC: | 0,6 A |
Pd - Dissipação de energia: | 225 mW |
Ganho Produto de Largura de Banda fT: | 200 MHz |
Temperatura operacional mínima: | - 55 C |
Temperatura operacional máxima: | + 150 C |
Series: | MMBT2907AL |
Embalagem: | Cortar fita |
Embalagem: | MouseReelName |
Embalagem: | Carretel |
Altura: | 0,94 mm |
Comprimento: | 2,9 mm |
Tecnologia: | Si |
Largura: | 1,3 mm |
Marca: | ON Semicondutor |
Corrente Contínua do Coletor: | - 0,6A |
DC Collector/Base Ganho hfe Min: | 75 |
Tipo de Produto: | BJTs - Transistores Bipolares |
Quantidade do pacote de fábrica: | 3000 |
Subcategoria: | Transistores |
Unidade de peso: | 0,001058 onças |
Anterior: 2N7002LT1G Canal N 60V 115mA 2,5V 250uA 7,5Ω 500mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs RoHS Próximo: MMBT4401LT1G NPN 600mA 40V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Transistores bipolares - BJT RoHS